(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211149735.1 (22)申请日 2022.09.21 (71)申请人 西北有色金属研究院 地址 710016 陕西省西安市未央区未央路 96号 (72)发明人 周文昊　白天　王岚　 (74)专利代理 机构 西安创知专利事务所 61213 专利代理师 魏法祥 (51)Int.Cl. C23C 14/35(2006.01) C23C 14/16(2006.01) C23C 14/18(2006.01) C23C 14/20(2006.01) C23C 14/08(2006.01) C23C 14/06(2006.01)B82Y 40/00(2011.01) (54)发明名称 一种含银纳米复合 抗菌涂层的制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种含银纳米复合抗菌涂层 的制备方法， 包括以下步骤： 一、 沉积钛过渡层； 二、 沉积银掺杂二氧化钛层； 三、 沉积纳米银粒子 层； 四、 沉积二氧化钛层， 在基体上得到含 银纳米 复合抗菌涂层。 本发明采用沉积温度低， 对基体 性能影响较小的磁控溅射技术， 在基体表面依次 沉积钛过渡层、 银掺杂二氧化钛层、 纳米银粒子 层、 二氧化钛层， 通过钛过渡层提高了基体与银 掺杂二氧化钛抗菌层的结合强度， 银掺杂二氧化 钛层中含有银， 相当于基体与纳米银粒子层之间 的钛过渡层， 增加了各层之间的结合力， 避免了 抗菌银粒子的脱落， 纳米银粒子层其主要的抗菌 作用， 最后在最外侧沉积的二氧化钛层可以利用 其光催化性能延长有效抗菌时间， 达到优异的抗 菌效果。 权利要求书2页 说明书8页 附图5页 CN 115478255 A 2022.12.16 CN 115478255 A 1.一种含银纳米复合 抗菌涂层的制备 方法， 其特 征在于， 该 方法包括以下步骤： 步骤一、 沉积钛过渡层： 将基体装入磁控溅射设备的真空腔室， 然后调节真空腔室的真 空度并通入氩气， 再开启Ti溅射靶在基体表面溅射沉积钛过渡层， 得到具有钛过渡层的基 体； 步骤二、 沉积银掺杂二氧化钛层： 向装有步骤一中得到的具有钛过渡层的基体的真空 腔室内通入氩气和氧气， 然后开启Ti溅射靶和Ag溅射靶， 在钛过渡层表面溅射沉积银掺杂 二氧化钛层， 得到具有银掺杂二氧化 钛层的基 体； 步骤三、 沉积纳米银粒子层： 向装有步骤二中得到的具有银掺杂二氧化钛层的基体的 真空腔室内通入氩气， 然后开启Ag溅射靶， 在银掺杂二氧化钛层表面溅射沉积纳米银粒子 层， 得到具有纳米银 粒子层的基 体； 步骤四、 沉积二氧化钛层： 向装有步骤三中得到的具有纳米银粒子层的基体的真空腔 室内通入氩气和氧气， 然后开启Ti溅射靶， 在纳米银粒子层表面溅射沉积二氧化钛层， 在基 体上得到含银纳米复合 抗菌涂层。 2.根据权利要求1所述的一种 含银纳米复合抗菌涂层的制备方法， 其特征在于， 步骤一 中所述真空腔室中的真空度为0.1Pa～0.7Pa。 3.根据权利要求1或2所述的一种含银纳米复合抗菌涂层的制备方法， 其特征在于， 步 骤一中所述溅射沉积的条件为： 氩气的流量为5sccm～15sccm， Ti溅射靶的电流为0.3A～ 1A， 基体的负偏压为40V～140V， 脉冲宽度为1μs～5 μs， 脉冲频率为50kHz～300kHz， 溅射沉 积的时间为5mi n～10min。 4.根据权利要求1或2所述的一种含银纳米复合抗菌涂层的制备方法， 其特征在于， 步 骤二中所述溅射沉积的条件为： 氩气的流量为2sccm～10sccm， 氧气的流量为1sccm～ 5sccm， Ti溅射靶的电流为0.1A～ 0.7A， Ag溅射靶的电流为0.3A～0.5A， 基体的负偏压为40V ～140V， 脉冲宽度为1μs～5μs， 脉冲频率为50kHz～300kHz， 溅射沉积的时间为10min～ 30min。 5.根据权利要求4所述的一种 含银纳米复合抗菌涂层的制备方法， 其特征在于， 步骤三 中所述溅射沉积的条件为： 氩气的流量为6sccm～20sccm， Ag溅射靶的电流为0.5A～1.4A， 基体的负偏压为40V～140V， 脉冲宽度为1 μs～5 μs， 脉冲频率为50kHz～300kHz， 溅射沉积的 时间为20mi n～30min。 6.根据权利要求1或5所述的一种含银纳米复合抗菌涂层的制备方法， 其特征在于， 步 骤四中所述溅射沉积的条件为： 氩气的流量为5sccm～15sccm， 氧气的流量为1sccm～ 5sccm； Ti溅射靶的电流为0.3A～0.9A； 基体的负偏压为40V～140V， 脉冲宽度为1μs～5 μs， 脉冲频率 为50kHz～300kHz； 溅射沉积的时间为10mi n～15min。 7.根据权利要求6所述的一种 含银纳米复合抗菌涂层的制备方法， 其特征在于， 步骤一 ～步骤四中所述磁控溅射设备真空腔室内的温度均不大于80℃。 8.根据权利要求1所述的一种 含银纳米复合抗菌涂层的制备方法， 其特征在于， 步骤一 中所述基体在溅射沉积前进行清洗， 所述清洗包括以下步骤： 依次使用丙酮、 无去离子水乙 醇、 去离子水清洗基体后真空干燥， 然后将 基体置于磁控溅射设备的真空腔室内， 调节真空 腔室的真空度， 再通入氩气， 开启Ti溅射靶， 对基体进 行溅射清洗， 其中， 真空干燥的温度为 80℃～100℃， 真空干燥的时间为2h～6h， 真空度为0.1Pa～0.5Pa， 氩气的流量为10sccm～权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 115478255 A 220sccm， Ti溅射靶的电流为0.05A～ 0.5A， 基体的负偏压为2 00V～300V， 脉冲宽度为1 μs～ 5 μ s， 脉冲频率 为50kHz～300kHz， 溅射清洗的时间为20mi n～30min。 9.根据权利要求1所述的一种 含银纳米复合抗菌涂层的制备方法， 其特征在于， 步骤一 中所述基 体为不锈钢、 陶瓷或高分子材 料。 10.根据权利要求1所述的一种含银纳米复合抗菌涂层的制备方法， 其特征在于， 步骤 四中所述含银纳米复合 抗菌涂层的厚度为3 00nm～920nm。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 115478255 A 3