(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210677188.8 (22)申请日 2022.06.16 (71)申请人 上海富乐德智能科技发展 有限公司 地址 200444 上海市宝山区山连路181号10 幢 (72)发明人 于海平　贺贤汉　蒋立峰　许俊　 (74)专利代理 机构 上海申浩 律师事务所 31280 专利代理师 赵建敏 (51)Int.Cl. B08B 3/08(2006.01) B08B 3/02(2006.01) B08B 3/12(2006.01) B08B 1/00(2006.01) F26B 25/06(2006.01) (54)发明名称 一种半导体设备氧化铝陶瓷喷射器的洗净 再生方法 (57)摘要 本发明公开了一种半导体设备氧化铝陶瓷 喷射器的洗净再生方法， 涉及半导体设备领域， 该方法包括如下步骤： 步骤(1)， 有机溶剂处理； 步骤(2)， 氨水双氧水溶液处理； 步骤(3)， 氟酸双 氧水溶液处理； 步骤(4)， 硝酸氟酸水溶液处理； 步骤(5)， 硝酸水溶液处理； 步骤(6)， 高温烘烤； 步骤(7)， 汽水枪超纯水冲洗； 步骤(8)， 超声波清 洗； 步骤(9)， 无尘烘箱干燥。 通过该方法， 能够快 速高效的去除氧化铝陶瓷GasInjector表面沉积 的硅、 氮等聚合物及污染物， 且不损伤部件本体， 达到洗净再生的目的。 权利要求书2页 说明书4页 附图2页 CN 115254766 A 2022.11.01 CN 115254766 A 1.一种半导体设备 氧化铝陶瓷喷射器的洗净 再生方法， 其特 征在于： 包括如下步骤： 步骤一、 有机溶剂浸泡及擦拭， 去除沉积在喷射器部件表层的硅、 氮聚合物及污染物， 同时疏松软化深层的沉积物， 之后用纯 水冲洗残留的有机溶剂及擦拭下来的残留物； 步骤二、 氨水双氧水浸泡及擦拭， 软化并去 除由步骤一处理后的喷射器部件表面的沉 积物， 纯水冲洗残留的药 液及擦拭下来的残留物； 步骤三、 氟酸双氧水浸泡及擦拭， 去除由步骤二处理后的喷射器部件表面的沉积物， 纯 水冲洗残留的药 液及擦拭下来的残留物； 步骤四、 硝酸氟酸水溶液浸泡及擦拭， 去 除由步骤三处理后的喷射器部件表面的沉积 物， 纯水冲洗残留的药 液及擦拭下来的残留物； 步骤五、 硝酸水溶液浸泡及擦拭， 去除由步骤四处理后的喷射器部件表面的沉积物， 纯 水冲洗残留的药 液及擦拭下来的残留物； 步骤六、 高温烘烤， 使沉积在喷射器部件深层的硅、 氮聚合物在高温作用下挥发去除； 步骤七、 汽水枪超纯 水冲洗， 去除高温烘烤后部件表面的残留物； 步骤八、 超声 波清洗， 去除部件表面残留的颗粒物； 步骤九、 无尘烘 箱烘干， 去除部件表面的水分， 使部件处于 完全干燥的状态。 2.根据权利要求1所述的一种半导体设备氧化铝陶瓷喷射器的洗净再生方法， 其特征 在于： 步骤一中， 有机溶剂为乙醇、 异丙醇或者丙酮， 浸泡时间为35 ‑45分钟， 采用菜瓜布手 工擦拭， 擦拭时间为2 ‑4分钟。 3.根据权利要求1所述的一种半导体设备氧化铝陶瓷喷射器的洗净再生方法， 其特征 在于： 步骤二中， 将喷射器放入氨水双氧水溶液中浸泡， 浸泡时间为 18‑22分钟， 溶液温度为 20‑35℃， 氨水双氧水溶液的体积百分比分别为： 氨水20％ ‑25％、 双氧水20％ ‑25％、 纯水 50％‑60％； 所述氨水浓度为29％， 双氧水浓度为30％， 纯水为电阻率大于4MΩ的去离子水， 采用菜瓜布手工擦拭， 擦拭时间为1 ‑2分钟。 4.根据权利要求1所述的一种半导体设备氧化铝陶瓷喷射器的洗净再生方法， 其特征 在于： 步骤三中， 将喷射器放入氟酸双氧水溶液中浸泡， 浸泡时间为4 ‑6分钟， 溶液温度为 20‑35℃， 氟酸双氧水溶液的体积百分比分别为： 氟酸2.5％ ‑5％、 双氧水10％ ‑20％、 纯水 75％‑85％； 所述氟酸浓度为49％， 双氧水浓度为30％， 纯水为电阻率大于4MΩ的去离子水， 采用菜瓜布手工擦拭， 擦拭时间为1 ‑2分钟。 5.根据权利要求1所述的一种半导体设备氧化铝陶瓷喷射器的洗净再生方法， 其特征 在于： 步骤四中， 将喷射器放入硝酸氟酸水溶液中浸泡， 浸泡时间为1 ‑3分钟， 溶液温度为 20‑35℃， 硝酸氟酸水溶液的体积百分比分别 为： 硝酸7％ ‑10％、 氟酸7％ ‑10％、 纯水80％ ‑ 85％； 所述硝酸浓度为69％， 氟酸浓度为49％， 纯水为电阻率大于4MΩ的去离子水， 采用菜 瓜布手工擦拭， 擦拭时间为1 ‑2分钟。 6.根据权利要求1所述的一种半导体设备氧化铝陶瓷喷射器的洗净再生方法， 其特征 在于： 步骤五 中， 将喷射器放入硝酸水溶液中浸泡， 浸泡时间为8 ‑12分钟， 溶液温度为20 ‑35 ℃， 硝酸水溶液的体积百分比分别为： 硝酸2％ ‑3％、 纯水97％ ‑98％； 所述硝酸浓度为69％， 纯水为电阻率大于4MΩ的去离 子水， 采用菜瓜布手工擦拭， 擦拭时间为1 ‑2分钟。 7.根据权利要求1所述的一种半导体设备氧化铝陶瓷喷射器的洗净再生方法， 其特征 在于： 步骤 六中， 将喷射器部件放置在8 00℃的高温烘箱中烘烤1.5 ‑2.5小时， 随后冷却至 室权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 115254766 A 2温取出部件。 8.根据权利要求1所述的一种半导体设备氧化铝陶瓷喷射器的洗净再生方法， 其特征 在于： 步骤 七中， 汽水枪超纯 水冲洗部件， 气压控制25 ‑35psi， 冲洗时间为1 ‑2分钟。 9.根据权利要求1所述的一种半导体设备氧化铝陶瓷喷射器的洗净再生方法， 其特征 在于： 步骤八中， 将喷射器放入超声波清洗槽中清洗， 纯水溢流量大于300L/h， 纯水电阻率 大于4MΩ， 超声 波强度为 4‑10w/in2， 清洗时间为3 0‑40分钟。 10.根据权利要求1所述的一种半导体设备氧化铝陶瓷喷射器的洗净再生方法， 其特征 在于： 步骤九中， 将喷射器放入无尘烘箱中， 105 ‑120℃恒温烘烤1.5 ‑2小时， 冷却至室温后 取出部件。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 115254766 A 3