(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告 号 (45)授权公告日 (21)申请 号 202222357960.6 (22)申请日 2022.09.06 (73)专利权人 林峡 地址 200000 上海市 静安区江场三路238号 603室 (72)发明人 林峡　王红卫　段浩　曹雪琴　 (74)专利代理 机构 上海乐泓专利代理事务所 (普通合伙) 31385 专利代理师 王瑞 (51)Int.Cl. F04F 5/16(2006.01) F04F 5/46(2006.01) B08B 3/02(2006.01) (54)实用新型名称 一种多方位调节固相二氧化碳喷出直径大 小的喷头 (57)摘要 本实用新型涉及一种多方位调节固相二氧 化碳喷出直径大小的喷头， 包括第一喷头、 第二 喷头及喷嘴； 所述第一喷头和二氧化碳供应源 连 通， 所述第二喷头一端和所述第一喷头连接、 另 一端和所述喷嘴连接， 所述第二喷头的侧面设有 和空气动力源 连通的侧孔； 所述第一喷头和所述 第二喷头均呈圆管状， 所述第一喷头可前后移动 的插入所述第二喷头管内， 用于调节所述第一喷 头的出口和所述喷嘴之间的距离， 进而来调节气 固混合物在所述第二喷头管内流动的距离。 其优 点在于： 可以控制从喷嘴处喷出的气固混合物的 混合比例、 固态颗粒大小、 温度、 流量以及速率； 满足对芯片的清洗要求， 也大大减小了半导体工 业对资源和环境的压力。 权利要求书1页 说明书5页 附图6页 CN 218030854 U 2022.12.13 CN 218030854 U 1.一种多方位调节固相二氧化碳喷出直径大小的喷头， 其特征在于， 包括第一喷头 (1)、 第二喷头(2)及喷 嘴(3)； 所述第一喷头(1)和二氧化碳供应源连通， 所述第二喷头(2)一端和所述第一喷头(1) 连接、 另一端和所述 喷嘴(3)连接， 所述第二喷头(2)的侧面设有和空气动力源连通的侧孔 (21)； 所述第一喷头(1)和所述第二喷头(2)均呈圆管状， 所述第一喷头(1)可前后移动的插 入所述第二喷头(2)管内， 用于调节所述第一喷头(1)的出口和所述喷嘴(3)之间的距离， 进 而来调节气固混合物在所述第二喷头(2)管内流动的距离 。 2.根据权利要求1所述的多方位调节固相二氧化碳喷出直径大小的喷头， 其特征在于， 在所述第二喷头(2)管内， 所述第一喷头(1)的出口和所述喷 嘴(3)之间形成有混合区(6)。 3.根据权利要求1所述的多方位调节固相二氧化碳喷出直径大小的喷头， 其特征在于， 所述第一喷头(1)的侧面设有第一外螺纹(11)， 所述第二喷头(2)的内壁上设有第一内螺纹 (22)； 当所述第一喷头(1)插入所述第二喷头(2)管内时， 所述第一外螺纹(11)和所述第一 内螺纹(2 2)配合， 用于调节所述第一喷头(1)的出口和所述喷 嘴(3)之间的距离 。 4.根据权利要求1所述的多方位调节固相二氧化碳喷出直径大小的喷头， 其特征在于， 所述侧孔(21)到所述喷 嘴(3)的距离大于所述第一喷头(1)到所述喷 嘴(3)的距离 。 5.根据权利要求1所述的多方位调节固相二氧化碳喷出直径大小的喷头， 其特征在于， 所述第二喷头(2)和所述喷 嘴(3)之间可拆卸连接 。 6.根据权利要求5所述的多方位调节固相二氧化碳喷出直径大小的喷头， 其特征在于， 所述第二喷头(2)远离所述第一喷头(1)一端的侧面上设有第二外螺纹(23)， 所述喷嘴(3) 的内壁设有第二内螺纹(31)； 当所述第二喷头(2)和所述喷嘴(3)可拆卸连接时， 所述第二 外螺纹(23)和所述第二内螺纹(31)结合。 7.根据权利要求5所述的多方位调节固相二氧化碳喷出直径大小的喷头， 其特征在于， 所述喷嘴(3)整体呈圆台状； 所述圆台状喷嘴(3)侧壁的截面和所述第二 喷头(2)侧壁的截 面之间的夹角为90度 ‑180度。 8.根据权利要求7所述的多方位调节固相二氧化碳喷出直径大小的喷头， 其特征在于， 所述喷嘴(3)包括多种型号， 不同型号喷嘴(3)的侧壁的截面和所述第二 喷头(2)侧壁的截 面之间的夹角不同。 9.根据权利要求1所述的多方位调节固相二氧化碳喷出直径大小的喷头， 其特征在于， 所述喷嘴(3)的内部中间宽 两端窄。 10.根据权利要求1所述的多方位调节固相二氧化碳喷出直径大小的喷头， 其特征在 于， 所述喷嘴(3)包括瓶颈部(32)和扩散部(33)； 所述瓶颈部(32)中间凹陷两端开阔延伸， 所述扩散 部(33)中间宽 两端窄， 所述 瓶颈部(32)和扩散 部(33)一体连接 。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 218030854 U 2一种多方位调节固相二氧化 碳喷出直径大小的喷头 技术领域 [0001]本实用新型涉及固相二氧化碳状态控制技术领域， 更具体地说， 涉及一种多方位 调节固相二氧化 碳喷出直径大小的喷头 。 背景技术 [0002]二氧化碳是一种在常温下无色无味无臭的气体。 化学式为CO2， 式量 44.01， 碳氧 化物之一， 俗名碳酸气， 也称碳酸 酐或碳酐。 常温下是一种无色无味气体， 密度比空气略大， 溶于水(1体积H2O可溶解1体积CO2)， 并生成碳酸。 固态二氧化碳俗称干冰， 升华 时可吸收大 量热， 因而用作制冷剂， 如人工降雨， 也常在舞美中用于制造烟雾(干冰升华吸热， 液化空气 中的水蒸气)。 [0003]如图1所示， 当温度在 0‑20度时(也就是正常的储存温度)气化压力在  40‑80atm之 间； 而凝固压力在1000atm以上。 通常的压力下(100atm ‑500atm) 在0度以上时， 二氧化碳不 会固化； 所要注意的是， 当液态二氧化碳气化时会 带走大量的热， 使得实际的温度比储藏温 度更低， 当温度低于 ‑30度时， 很低的压力二氧化碳就会固化， 所以放气时速度要注 意控制， 这样就可以避免二氧化碳的固化。 二氧化碳的临界温度为31.2℃左右， 临界压力是 7.38MPa； 就是说， 温度高于31.2℃， 压力再大也不会液化； 温度低于31.2℃， 液化压力随温 度降低而降低。 [0004]随着微电子技术的进步， 芯片的集成度不断提高， 元器件的尺度不断缩小， 相应地 对硅片洁净度的要求也越来越高。 因为硅片表面的残留污染物和杂质会导致电路或器件结 构失效， 所以在制造过程中需要进行大量的清洗。 所谓清洗， 是指在不破坏 硅片表面电特性 及器件结构的前提下， 有效去除各类污染。 [0005]在传统的清洗技术中， 最终要使用大量高纯水进行冲洗， 再用异丙醇等干燥硅片 表面。 由此衍生出的问题是水资源的大量消耗、 化学试剂引起的芯片和环境的污染， 以及干 燥过程中气液界面的表面张力引起的微结构粘连和颗粒吸附。 而且受液体表面张力和粘度 的限制， 传统清洗技术无法对微小孔隙进行有效的清洗。 随着半导体技术向更小的工艺节 点延伸， 传统清洗渐 渐变得力不从心。 [0006]专利文献： CN 114308859  A， 公告日： 20220412， 公开了一种干式超临界二氧化碳流 体清洗装置及其清洗方法， 包括： 超流体储罐， 超流体储罐用于向系统提供超临界二氧化碳 流体以作为清洗溶剂； 加热器， 加热器设置于超流体储罐内， 用于将超临界二氧化碳流体加 热至设定温度； 风冷器， 风冷器连接超流体储罐， 用于将超临界二氧化碳流体降温至 设定温 度； 以及清洗筒体， 清洗筒体内分布有若干组连通风冷器的喷嘴， 用于接收超临界二氧化碳 流体以对其内清洗件进行清洗 。 [0007]优点在于： 具有清洁效果好、 清洗时间短、 对清洗件无磨损以及对环境无污 染等优 点。 但是该技术方案所涉及到的核心技术是对非极性或弱 极性物料 的溶解清洗， 并不适用 于芯片的清洗 。 [0008]专利文献： CN203494843U， 公告日： 20140326， 公开了一种超声波辅助超临界二氧说　明　书 1/5 页 3 CN 218030854 U 3