YS-T 1600-2023 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法

ICS 77. 040. 30 YS CCS H 17 中华人民共和国有色金属行业标准 YS/T1600—2023 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法 Determination of trace impurity elements in silicon carbide single crystal- Glow discharge mass spectrometry 2023-04-21发布 2023-11-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布 YS/T1600—2023 前言本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243）、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2)提出并归口。本文件起草单位：国合通用测试评价认证股份公司、国标（北京）检验认证有限公司、南京国盛电子有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、厦门万明电子有限公司、广东先导稀材股份有限公司、河北同光晶体有限公司、北京清质分析技术有限公司、贵研检测科技（云南)有限公司。本文件主要起草人：刘红、刘鹏宇、胡芳菲、杨复光、刘丽媛、赵景鑫、孙道儒、骆红、余宗静、黄景明、朱赞芳、谭秀珍、杨昆、李铭、马媛。

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