ICS 77. 120. 99 H 68 GE 中华人民共和国国家标准 GB/T 17473.3—2008 代替GB/T17473.3—1998 微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定 Test methods of precious metals pastes used for microelectronics- Determination of sheet resistance 2008-03-31发布 2008-09-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 中华人民共和国 国家标准 微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定 GB/T 17473.3—2008 * 中国标准出版社出版发行 北京复兴门外三里河北街16号 邮政编码：100045 网址www.spc.net.cn 电话：6852394668517548 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷 各地新华书店经销 * 开本8 880X1230 1/16 印张0.5 字数9千字 2008年6月第一版 2008年6月第一次印刷 * 书号：155066：1-31522 如有印装差错 由本社发行中心调换 版权专有侵权必究 举报电话：（010）68533533 GB/T 17473.3—2008 前言 本标准是对GB/T11473一1998《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法》（所有部分）的整合修 订，分为7个部分： GB/T17473.1—2008 固体含量测定； 微电子技术用贵金属浆料测试方法 微电子技术用贵金属浆料测试方法 细度测定； GB/T17473.22008 GB/T17473.32008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定； GB/T17473.4—2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 附着力测试； GB/T17473.5—2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 粘度测定； —GB/T17473.6—2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 分辨率测定； GB/T17473.7—2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 可焊性、耐焊性测定。 本部分为GB/T17473—2008的第3部分。 方阻测定》。 本部分与GB/T17473.3一1998相比，主要有如下变动： 将原标准名称修改为微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定； 增加低温固化型浆料方阻的测定方法； 原标准的原理中，“将浆料用丝网印刷在陶瓷基片，经过烧结后，膜层在一定温度及其厚度、宽 度不变的情况下”修改为“将浆料用丝网印刷在陶瓷基片或有机树脂基片上，经过烧结或 固化后，膜层在一定温度及厚度、宽度不变的情况下”； 测厚仪修改为：光切显微测厚仪用于烧结型浆料：范围为0mm~5mm，精度为0.001mm。 千分尺用于固化型浆料：范围为0mm~5mm，精度为0.001mm。 本部分的附录A为规范性附录。 本部分由中国有色金属工业协会提出。 本部分由全国有色金属标准化技术委员会归口。 本部分由贵研铂业股份有限公司负责起草 本部分主要起草人：金勿毁、刘继松、李文琳、陈伏生、朱武勋、李晋。 本部分所代替标准的历次版本发布情况为： GB/T 17473.3—1998。 GB/T17473.3—2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定 1范围 本部分规定了微电子技术用贵金属浆料方阻的测试方法。 本部分适用于微电子技术用贵金属浆料方阻的测定。 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本部分的引用而成为本部分的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有 的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本部分，然而，鼓励根据本部分达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本部分， GB/T8170数值修约规则 3方法原理 浆料用丝网印刷在陶瓷基片或有机树脂基片上，经过烧结或固化后，膜层在一定温度及厚度、宽度 不变的情况下，膜层电阻与膜层带的长度成正比。通过测量规定膜层长度的电阻，计算方阻。 4材料 基片：纯度不小于95%的氧化铝或有机树脂基片，表面粗糙度为0.5μm～1.5um（在测量距离为 10mm的条件下测量）。 5仪器与设备 5.1数字式电阻\电压多用表 范围为100μ2～100MQ，分辨率为6位有效数字，可四线测量。 5.2超高阻绝缘电阻测量仪 范围为1×102~1×10172精度为±2% 5.3测厚仪 5.3.1光切显微测厚仪 范围为0mm~5mm，精度为0.001mm。 5.3.2千分尺 范围为0mm~5mm，精度为0.001mm。 5.4丝 丝网印刷机 5.5红外干燥箱 最高使用温度为300℃，控制温度精度为土5℃。 5.6隧道烧结炉 最高使用温度为1000℃，控制温度精度为土10℃。 6测试步骤 实验环境要求：环境温度15℃~35℃，相对湿度45%~75%，大气压力86kPa~106kPa。 1